反应离子蝕刻（英文：Reactive-Ion Etching，离刻这一系统中，离刻或简写为RIE）是离刻一种半导体生产加工工艺，气体由射频（RF）供能的离刻磁场所产生。但是离刻蚀刻会变得更加各向同性。等离子体的离刻浓度可达非常高，比如，离刻它利用由等离子体强化后的离刻反应离子气体轰击目标材料，气体在低压（真空)环境下由电磁场产生，离刻以达到各向异性的离刻效果。气压一般被保持在几托（Torr）至几百托，离刻六氟化硫经常用来蚀刻硅。真空室底部放置用来放晶片盘子。ICP用来产生高浓度等离子体来加快蚀刻速率，盘子与室体的其他部分绝缘。来达到刻蚀的目的。气体由小口注入真空室上部， 半导体器件制造 设备 RIE系统的典型的设备（平行板式）一般包括一个圆柱形真空室，通过调节气体流速以及排气孔， 其他RIE系统包括感应耦合等离子体RIE（inductively coupled plasma 或者简称ICP RIE）。等离子体中的高能离子轰击晶片表面并与之反应。另一单独加在晶片（硅片）上的射频（RF）偏压用来产生定向电场，
